產(chǎn)品資料
高穩(wěn)定性深紫外半導體膜厚測定紫外光源氙燈
產(chǎn)品名稱: 高穩(wěn)定性深紫外半導體膜厚測定紫外光源氙燈
產(chǎn)品型號: A3611S
產(chǎn)品特點: 高穩(wěn)定性深紫外半導體膜厚測定紫外光源氙燈用于半導體膜厚測定深紫外 DUV 氙燈 · 200-400 nm 峰值 · 高穩(wěn)定性 < ±0.5 %半導體膜厚測定 / 反射率 / 橢圓偏振 / UV-Vis 光譜
高穩(wěn)定性深紫外半導體膜厚測定紫外光源氙燈 的詳細介紹
高穩(wěn)定性深紫外半導體膜厚測定紫外光源氙燈
高穩(wěn)定性深紫外半導體膜厚測定紫外光源氙燈
紫外光源氙燈 A3611S
用于半導體膜厚測定
深紫外 DUV 氙燈 · 200-400 nm 峰值 · 高穩(wěn)定性 < ±0.5 %
半導體膜厚測定 / 反射率 / 橢圓偏振 / UV-Vis 光譜
一、產(chǎn)品定位
- 半導體膜厚測定：SiO?、Si?N?、光刻膠、Al?O?、GaN 等 DUV 波段薄膜
- 深紫外氙燈：200-400 nm 峰值，適合 < 10 nm 超薄膜高分辨率
- 高穩(wěn)定性：光強漂移 < ±0.5 %，滿足膜厚重復性 ≤ 0.1 nm
- Milas 供應：日本原廠，真空/大氣雙版本，真空度 ≤ 1×10?? Pa
二、核心技術參數(shù)（A3611S）
| 項目 | 參數(shù) |
|---|---|
| 光源類型 | 深紫外氙燈（DUV-Xenon） |
| 波長范圍 | 200 – 400 nm（峰值 280 nm） |
| 輸出功率 | 150 mW（@ 280 nm，真空版） |
| 穩(wěn)定性 | < ±0.5 %（10 min，恒溫） |
| 真空度 | ≤ 1×10?? Pa（真空版） |
| 大氣版 | 可選（內(nèi)置除塵窗） |
| 燈壽命 | >5,000 h（真空版） |
| 電源 | DC 24 V 2 A（含驅(qū)動器） |
| 接口 | FC/SMA905 光纖（真空饋通） |
| 尺寸/重量 | Φ25×80 mm，0.3 kg（燈頭） |
三、功能亮點
- 200-400 nm DUV：深紫外波段，適合 < 10 nm 超薄膜測定
- 高穩(wěn)定性 < ±0.5 %：膜厚重復性 ≤ 0.1 nm，無需頻繁校準
- 真空/大氣雙版本：真空度 ≤ 1×10?? Pa，潔凈室兼容
- FC/SMA905 光纖：真空饋通，即插即用，無對準誤差
- >5,000 h 壽命：真空版 5,000 h，大氣版 8,000 h
- 0.3 kg 超輕：可直接貼腔體，不增加機械負載
紫外光源氙燈 A3611S
用于半導體膜厚測定
深紫外 DUV 氙燈 · 200-400 nm 峰值 · 高穩(wěn)定性 < ±0.5 %
半導體膜厚測定 / 反射率 / 橢圓偏振 / UV-Vis 光譜
一、產(chǎn)品定位
- 半導體膜厚測定：SiO?、Si?N?、光刻膠、Al?O?、GaN 等 DUV 波段薄膜
- 深紫外氙燈：200-400 nm 峰值，適合 < 10 nm 超薄膜高分辨率
- 高穩(wěn)定性：光強漂移 < ±0.5 %，滿足膜厚重復性 ≤ 0.1 nm
- Milas 供應：日本原廠，真空/大氣雙版本，真空度 ≤ 1×10?? Pa
二、核心技術參數(shù)（A3611S）
| 項目 | 參數(shù) |
|---|---|
| 光源類型 | 深紫外氙燈（DUV-Xenon） |
| 波長范圍 | 200 – 400 nm（峰值 280 nm） |
| 輸出功率 | 150 mW（@ 280 nm，真空版） |
| 穩(wěn)定性 | < ±0.5 %（10 min，恒溫） |
| 真空度 | ≤ 1×10?? Pa（真空版） |
| 大氣版 | 可選（內(nèi)置除塵窗） |
| 燈壽命 | >5,000 h（真空版） |
| 電源 | DC 24 V 2 A（含驅(qū)動器） |
| 接口 | FC/SMA905 光纖（真空饋通） |
| 尺寸/重量 | Φ25×80 mm，0.3 kg（燈頭） |
三、功能亮點
- 200-400 nm DUV：深紫外波段，適合 < 10 nm 超薄膜測定
- 高穩(wěn)定性 < ±0.5 %：膜厚重復性 ≤ 0.1 nm，無需頻繁校準
- 真空/大氣雙版本：真空度 ≤ 1×10?? Pa，潔凈室兼容
- FC/SMA905 光纖：真空饋通，即插即用，無對準誤差
- >5,000 h 壽命：真空版 5,000 h，大氣版 8,000 h
- 0.3 kg 超輕：可直接貼腔體，不增加機械負載
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